Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2039
TRANS GAN 80V BUMPED DIE
номер части
EPC2039
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.8A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 2mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
2.4nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
210pF @ 40V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 53850 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2039
EPC2039 Электронные компоненты
EPC2039 Продажи
EPC2039 Поставщик
EPC2039 Распределитель
EPC2039 Таблица данных
EPC2039 Фото
EPC2039 Цена
EPC2039 Предложение
EPC2039 Низшая цена
EPC2039 Поиск
EPC2039 Покупка
EPC2039 Chip