Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
EPC2035
TRANS GAN 60V 1A BUMPED DIE
номер части
EPC2035
Производитель/Бренд
Ряд
eGaN®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Рабочая Температура
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
Die
Пакет устройств поставщика
Die
Рассеиваемая мощность (макс.)
-
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
1A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 800µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
1.15nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
115pF @ 30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
5V
ВГС (Макс)
+6V, -4V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 50428 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова EPC2035
EPC2035 Электронные компоненты
EPC2035 Продажи
EPC2035 Поставщик
EPC2035 Распределитель
EPC2035 Таблица данных
EPC2035 Фото
EPC2035 Цена
EPC2035 Предложение
EPC2035 Низшая цена
EPC2035 Поиск
EPC2035 Покупка
EPC2035 Chip